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SPD04P10PLGBTMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 4.2 A, 0.85 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD04P10PLGBTMA1
No. Parte Newark47W3757
También conocido comoSPD04P10PL G, SP000212231
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.740 |
| 10+ | $1.100 |
| 100+ | $0.724 |
| 500+ | $0.565 |
| 1000+ | $0.513 |
| 2500+ | $0.473 |
| 10000+ | $0.392 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD04P10PLGBTMA1
No. Parte Newark47W3757
También conocido comoSPD04P10PL G, SP000212231
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id4.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.85
Resistencia de Activación Rds(on)0.55ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd38W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia38
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SPD04P10PL G es un MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™ que cumple constantemente con las más altas demandas de calidad y rendimiento en especificaciones clave para el diseño de sistemas de energía, como resistencia en estado ON y características de figura de mérito.
- Modo mejorado
- Avalancha clasificada
- Nivel lógico
- Calificado según AEC-Q101
- Dispositivo verde
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.85
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.55ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
38W
Disipación de Potencia
38
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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