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SPD04N80C3ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD04N80C3ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6352
Re-reeling (Rollos a medida)33P8206RL
Cinta adhesiva33P8206
También conocido comoSPD04N80C3, SP001117768
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5,302 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.050 | $10.25 |
| Total Precio | $10.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.050 |
| 50+ | $1.280 |
| 100+ | $0.665 |
| 250+ | $0.653 |
| 500+ | $0.640 |
| 1000+ | $0.627 |
| 2500+ | $0.614 |
| 5000+ | $0.602 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.628 |
| 5000+ | $0.596 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD04N80C3ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6352
Re-reeling (Rollos a medida)33P8206RL
Cinta adhesiva33P8206
También conocido comoSPD04N80C3, SP001117768
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia de Activación Rds(on)1.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.3ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd63W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia63W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
SPD04N80C3ATMA1 is a CoolMOS™ power transistor. It is designed for industrial applications with high DC bulk voltage, and switching applications ( i.e. active clamp forward ). Potential applications are consumer, PC power, adapter, lighting, and solar.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dv/dt rated, high peak current capability
- Fully qualified according to JEDEC for industrial applications
- Ultra low gate charge, ultra low effective capacitances
- High efficiency and power density, outstanding cost/performance
- High reliability, ease-of-use
- Drain-source breakdown voltage is 800V at VGS=0V, I D=250µA
- Drain-source on-state resistance is 1.3ohm at VGS=10V, I D=2.5A, Tj=25°C
- Gate charge total is 23nC typ at VDD=640V, ID=4A, VGS=0 to 10V
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
1.1ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
63W
Disipación de Potencia
63W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SPD04N80C3ATMA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto