Imprimir página
SPD02N80C3ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD02N80C3ATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33P8203
Cinta adhesiva33P8203
También conocido comoSPD02N80C3, SP001117754
Su número de pieza
11,607 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.260 | $1.26 |
| Total Precio | $1.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.260 |
| 10+ | $0.879 |
| 25+ | $0.791 |
| 50+ | $0.705 |
| 100+ | $0.617 |
| 250+ | $0.555 |
| 500+ | $0.493 |
| 1000+ | $0.468 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD02N80C3ATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33P8203
Cinta adhesiva33P8203
También conocido comoSPD02N80C3, SP001117754
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.7
Resistencia de Activación Rds(on)2.4ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd42W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia42
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SPD02N80C3 es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 800 V que presenta una corriente de puerta ultrabaja. Es adecuado para aplicaciones de alimentación de PC, energía solar y adaptador.
- Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
- Extremo dV/dt clasificado
- Baja resistencia específica en estado ON
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Calidad probada en el campo CoolMOS™
- Clasificado avalancha periódica
- Alta eficiencia y densidad de potencia
- Excelente desempeño
- Alta confiabilidad
- Fácil de usar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia de Activación Rds(on)
2.4ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
42W
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.7
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SPD02N80C3ATMA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto