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SPB80P06PGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 80 A, 23 mohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPB80P06PGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47W3754RL
Cinta adhesiva47W3754
También conocido comoSPB80P06P G, SP000096088
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 31 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.690 | $4.69 |
| Total Precio | $4.69 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.690 |
| 50+ | $3.000 |
| 100+ | $2.200 |
| 250+ | $2.050 |
| 500+ | $1.900 |
| 1000+ | $1.770 |
| 2500+ | $1.730 |
| 5000+ | $1.700 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPB80P06PGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47W3754RL
Cinta adhesiva47W3754
También conocido comoSPB80P06P G, SP000096088
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente23
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd340W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia340
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SPB80P06P G es un MOSFET de potencia de canal P de -60V que cumple constantemente con las más altas exigencias de calidad y rendimiento en especificaciones clave para el diseño de sistemas de potencia, como resistencia en estado y características de figura de mérito.
- Modo mejorado
- Avalancha clasificada
- Clasificado dv/dt
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
23
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
340W
Disipación de Potencia
340
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SPB80P06PGATMA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
