Imprimir página
SPB17N80C3ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPB17N80C3ATMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33P8201
Cinta adhesiva33P8201
También conocido comoSPB17N80C3, SP000013370
Su número de pieza
2,121 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Ver horas límite
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.900 | $4.90 |
| Total Precio | $4.90 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.900 |
| 10+ | $3.230 |
| 25+ | $2.950 |
| 50+ | $2.670 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPB17N80C3ATMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33P8201
Cinta adhesiva33P8201
También conocido comoSPB17N80C3, SP000013370
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.29
Resistencia de Activación Rds(on)0.25ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd227W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia227
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SPB17N80C3 es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 800 V que presenta una corriente de puerta ultrabaja. Está diseñado para aplicaciones de conmutación y voltaje de alto volumen de CD.
- Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Capacitancia efectiva ultrabaja
- Baja resistencia específica en estado ON
- Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Calidad probada en el campo CoolMOS™
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia de Activación Rds(on)
0.25ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
227W
Disipación de Potencia
227
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.29
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SPB17N80C3ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto