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SPA11N65C3XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA11N65C3XKSA1
No. Parte Newark62M0118
También conocido comoSPA11N65C3, SP000216318
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.000 |
| 10+ | $2.780 |
| 100+ | $1.350 |
| 500+ | $1.090 |
| 1000+ | $1.020 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA11N65C3XKSA1
No. Parte Newark62M0118
También conocido comoSPA11N65C3, SP000216318
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia de Activación Rds(on)0.34ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.38ohm
Diseño de TransistorTO-220F
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd33W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia33
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SPA11N65C3 es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 650V que presenta una carga de puerta ultrabaja. Es adecuado para PC Power y aplicaciones de adaptador.
- Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
- Extremo dV/dt clasificado
- Clasificado avalancha periódica
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Transconductancia mejorada
- Baja resistencia específica en estado ON
- Calidad probada en el campo CoolMOS™
- Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Alta eficiencia y densidad de potencia
- Excelente desempeño
- Alta confiabilidad
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.38ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
33
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.34ohm
Diseño de Transistor
TO-220F
Disipación de Potencia Pd
33W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SPA11N65C3XKSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto