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S70GL02GT12FHIV10
Memoria Flash, NOR Paralela, 2 Gbit, 256M x 8bit / 128M x 16bit, Paralelo, FBGA, 64 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS70GL02GT12FHIV10Copiar
No. Parte Newark62AK6014
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $32.800 |
| 5+ | $31.720 |
| 10+ | $30.650 |
| 25+ | $29.140 |
| 50+ | $28.890 |
| 100+ | $28.640 |
| 360+ | $27.320 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS70GL02GT12FHIV10Copiar
No. Parte Newark62AK6014
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria2
Tamaño de la Memoria0
Configuración de Memoria256M x 8bit / 128M x 16bit
Configuración Memoria Flash0
InterfacesParallel
Tipo de Interfaz IC0
Estuche / Paquete CIFBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines64Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso120
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S70GL02GT12FHIV10 es un dispositivo de memoria flash MIRRORBIT™ S70GL02GT de 2 Gb fabricado con tecnología de proceso MIRRORBIT™ de 45nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de 20ns con un tiempo de acceso aleatorio correspon
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátiles, tecnología de proceso MIRRORBIT™ de 45nm.
- Alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (de 2.7V a 3.6V), amplio rango de voltaje de E/S (VIO): 1.65V to VCC
- Búfer de programación de 512 bytes, programación en múltiplos de página, hasta un máximo de 512 bytes.
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Protección avanzada del sector (ASP), métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector.
- Matriz de programación única (OTP) independiente de 1024bytes con dos regiones bloqueables
- Protege el último sector del dispositivo, independientemente de la configuración de protección de sector.
- 100000 ciclos de borrado de programa, retención de datos de 20 años, matriz de rejilla de bolas reforzada, paquete de paso de 1.0mm
- Velocidad de 120ns, rango de temperatura industrial plus (–40 °C a +105 °C).
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
120
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
2
Configuración de Memoria
256M x 8bit / 128M x 16bit
Interfaces
Parallel
Estuche / Paquete CI
FBGA
No. de Pines
64Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto