S70GL02GS12FHIV20

El S70GL02GS12FHIV20 es un dispositivo de memoria flash MirrorBit® de 2 Gigabit. Está fabricado con la tecnología de proceso MirrorBit Eclipse de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de 25ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de 120ns. Cuenta con un búfer de escritura que permite programar un máximo de 256 palabras/512 bytes en una operación, lo que da como resultado un tiempo de programación efectivo más rápido que los algoritmos de programación estándar de un solo byte/palabra. Esto convierte al dispositivo en un producto ideal para las aplicaciones integradas actuales que requieren mayor densidad, mejor rendimiento y menor consumo de energía.

• Núcleo CMOS de 3.0 volts con E/S versátiles™
• Tecnología de proceso MirrorBit Eclipse™ de 65nm
• Fuente de alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (2.7V a 3.6V)
• Amplio rango de voltaje de E/S (VIO): 1.65V a VCC, bus de datos x16
• Búfer de lectura de página de 16 palabras/32 bytes, búfer de programación de 512 bytes
• Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
• Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pines listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo.
• Matriz de programación de una sola vez (OTP) independiente de 1024 bytes con dos regiones bloqueables.
• 100,000 ciclos de borrado por sector (típico), retención de datos de 20 años (típica).
• Rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C, paquete FBGA de 64 pines