Imprimir página
S70GL02GS12FHIV10
Memoria Flash, NOR Paralela, 2 Gbit, 256M x 8bit / 128M x 16bit, CFI, Paralelo, FBGA, 64 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS70GL02GS12FHIV10
No. Parte Newark99AC9694
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Su número de pieza
20 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 8 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $27.400 |
| 5+ | $26.460 |
| 10+ | $25.510 |
| 25+ | $25.250 |
| 50+ | $24.620 |
| 100+ | $21.980 |
| 250+ | $21.590 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$27.40
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS70GL02GS12FHIV10
No. Parte Newark99AC9694
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria2
Tamaño de la Memoria0
Configuración de Memoria256M x 8bit / 128M x 16bit
Configuración Memoria Flash0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesCFI, Parallel
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso120
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S70GL02GS12FHIV10 es un dispositivo de memoria flash GL-T MIRRORBIT™ fabricado con tecnología de proceso MIRRORBIT™ de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de 25ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de 110
- Fuente de alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (2.7V a 3.6V)
- Búfer de lectura de página de 16 palabras/32 bytes
- Programación en múltiplos de página, hasta un máximo de 512bytes
- Sectores uniformes de 128KB, 2048 sectores
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector
- Matriz de programación única (OTP) independiente de 1024bytes con dos regiones bloqueables
- 100,000 ciclos de borrado por sector (típico), retención de datos de 20 años (típica).
- FBGA de 64 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
CFI, Parallel
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
120
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
2
Configuración de Memoria
256M x 8bit / 128M x 16bit
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
64Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto