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S70GL02GS11FHI020
Memoria Flash, NOR Paralela, 2 Gbit, 128M x 16bit, Paralelo, FBGA, 64 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS70GL02GS11FHI020Copiar
No. Parte Newark62AK6012
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $35.220 |
| 5+ | $34.070 |
| 10+ | $32.920 |
| 25+ | $32.850 |
| 50+ | $31.530 |
| 100+ | $30.700 |
| 250+ | $29.560 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS70GL02GS11FHI020Copiar
No. Parte Newark62AK6012
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria2
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria128M x 16bit
InterfacesParallel
Tipo de Interfaz IC0
Estuche / Paquete CIFBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines64Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S70GL02GS11FHI020 es un dispositivo de memoria flash MIRRORBIT™ S70GL02GS fabricado con tecnología de proceso MIRRORBIT™ de 65nm. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de 25ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente d
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil™, alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (de 2.7V a 3.6V).
- Función de E/S versátil: amplio rango de voltaje de E/S (VIO): 1.65V a VCC, bus de datos ×16
- Búfer de lectura de página de 16 palabras/32 bytes, búfer de programación de 512bytes
- Programación en múltiplos de página, hasta un máximo de 512bytes, sectores uniformes de 128KB
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- Protección avanzada del sector (ASP), métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector.
- Protege el último sector del dispositivo, independientemente de la configuración de protección de sector.
- Rango de temperatura industrial de (-40°C a +85°C)
- VIO = VCC = 2.7V a 3.6V, sector de dirección más bajo protegido
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
128M x 16bit
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
2
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
Parallel
Estuche / Paquete CI
FBGA
No. de Pines
64Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto