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S29GL512S11TFIV10
Memoria Flash, NOR Paralela, 512 Mbit, 64M x 8bit, CFI, Paralelo, TSOP, 56 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL512S11TFIV10
No. Parte Newark99AC9690
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
373 En Inventario
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214 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
159 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.190 |
| 10+ | $9.470 |
| 25+ | $9.180 |
| 50+ | $8.970 |
| 100+ | $8.590 |
| 364+ | $8.270 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.19
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL512S11TFIV10
No. Parte Newark99AC9690
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Densidad de Memoria512
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria64M x 8bit
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesCFI, Paralelo
Estuche / Paquete CITSOP
Memoria, Tipo0
No. de Pines56Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL512S11TFIV10 es una memoria flash MIRRORBIT™ fabricada con tecnología de proceso de 65nm. Ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 15ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de hasta 90ns. Cuenta con un buffer de escritura que permite programar un máximo de 256 palabras/512 bytes en una operación, lo que da como resultado un tiempo de programación efectivo más rápido que los algoritmos de programación estándar. Esto hace que este dispositivo sea ideal para las aplicaciones integradas actuales que requieren mayor densidad, mejor rendimiento y menor consumo de energía.
- Velocidad de acceso aleatorio de 110ns, núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil
- VIO=1.65V a VCC, VCC=2.7V a 3.6V, sector de dirección más alta protegido
- Fuente de alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (2.7V a 3.6V)
- Función de E/S versátil: amplio rango de voltaje de E/S (VIO) 1.65V a VCC
- Bus de datos ×16, lectura de página asincrónica de 32 bytes
- Comprobación y corrección automática de errores (ECC) ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
- 100,000 ciclos de programación/borrado, retención de datos durante 20 años
- Paquete TSOP, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
64M x 8bit
Interfaces
CFI, Paralelo
Memoria, Tipo
0
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
512
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
TSOP
No. de Pines
56Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto