S29GL512S10TFI010

La S29GL512S10TFI010 es una memoria flash de página de 512Mbit y 3V con tecnología de proceso MirrorBit de 90nm en un paquete TSOP de 56 pines. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de 25ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente tan rápido como 100ns en VCC regulado. Cuenta con un buffer de escritura que permite programar un máximo de 32 palabras/64 bytes en una operación, lo que da como resultado un tiempo de programación efectivo más rápido que los algoritmos de programación estándar. Es un dispositivo ideal para las aplicaciones integradas actuales que requieren mayor densidad, mejor rendimiento y menor consumo de energía. Tiene una arquitectura de sector uniforme de 64Kword/128Kbyte con quinientos doce sectores, entrada de reinicio de hardware (RESET#) reinicia el dispositivo y salida listo/ocupado# (RY/BY#) detecta la finalización del ciclo de programa o borrado.

• VIO = VCC = 2.7V a 3.6V, sector de dirección más alta protegido
• Búfer de lectura de página de 8 palabras/16 bytes
• 100000 ciclos de borrado por sector típicos y retención de datos típica de 20 años
• Los bits de estado de la operación de escritura indican la finalización de la operación de programa y borrado.
• Desbloquear el comando de omisión del programa para reducir el tiempo de programación
• Compatibilidad con CFI (Interfaz Flash Común)
• Métodos persistentes y con contraseña de protección avanzada del sector
• Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
• Rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C
• Entrada WP#/ACC, protege el primer o último sector independientemente de la configuración de protección del sector