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S29GL064S70FHI010
FLASH MEMORY, 64MBIT, 85DEG C, BGA-64
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL064S70FHI010Copiar
No. Parte Newark62AK5987
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.930 |
| 10+ | $5.530 |
| 25+ | $5.370 |
| 50+ | $5.240 |
| 100+ | $5.120 |
| 250+ | $4.990 |
| 500+ | $4.770 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL064S70FHI010Copiar
No. Parte Newark62AK5987
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria64Mbit
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria8M x 8bit
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesCFI, Parallel
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso70ns
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29GL064S70FHI010 es un circuito integrado de memoria flash S29GL064S MIRRORBIT™ de 64 Mb en modo página, programable tanto en el sistema host como en programadores EPROM estándar. Requiere una única fuente de alimentación de 3.0V para las funciones de
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil, funcionamiento con una sola fuente de alimentación, región de silicio segura.
- Programación y bloqueo de fábrica o por el cliente, arquitectura de sector flexible
- Comprobación y corrección automática de errores ECC: hardware ECC interno con corrección de errores de un solo bit.
- Mínimo de 100,000 ciclos de borrado por sector, retención de datos típica de 20 años.
- Alto rendimiento, tiempo de acceso de 70ns, búfer de lectura de página de 8 palabras/16 bytes, tiempo de lectura de página de 15ns.
- Corriente de lectura inicial típica de 25mA a 5MHz, corriente típica en modo de espera de 40µA
- Fabricado con tecnología de proceso MIRRORBIT™ de 65nm, la entrada de reinicio de hardware (RESET#) reinicia el dispositivo.
- La salida "Listo/ocupado" (RY/BY#) detecta la finalización del ciclo de programación o borrado
- Velocidad de 70ns, encapsulado de matriz de rejilla de bolas reforzado (LAA064), temperatura industrial de -40 a 85 °C.
- ×8/×16, VCC = VIO = 2.7 V–3.6V, sector uniforme, WP#/ACC = VIL protege el sector direccionado más alto
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
8M x 8bit
Interfaces
CFI, Parallel
Estuche / Paquete CI
BGA
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
70ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
64Mbit
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
64Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto