S29GL01GT10TFI010

El S29GL01GT10TFI010 es una memoria flash GL-T MIRRORBIT™, paralela, de 1Gb y 3.0V. Este dispositivo ofrece un tiempo de acceso a la página rápido de hasta 15ns, con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de hasta 100ns. Cuenta con un buffer de escritura que permite programar un máximo de 256 palabras/512 bytes en una operación, lo que da como resultado un tiempo de programación efectivo más rápido que los algoritmos de programación estándar. Esto hace que este dispositivo sea ideal para las aplicaciones integradas actuales que requieren mayor densidad, mejor rendimiento y menor consumo de energía.

• Velocidad de acceso aleatorio de 100ns, fabricado con tecnología de proceso de 45nm
• VIO=VCC=2.7V a 3.6V, sector de dirección más alto protegido CFI versión 1.5
• Fuente de alimentación única (VCC) para lectura/programación/borrado (2.7V a 3.6V)
• Función de E/S versátil: amplio rango de voltaje de E/S (VIO) 1.65V a VCC
• Bus de datos ×8/×16, lectura de página asincrónica de 32 bytes
• Comprobación y corrección automática de errores: ECC de hardware interno con corrección de errores de un solo bit
• Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
• Registro de estado, sondeo de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
• 100,000 ciclos de programación/borrado, retención de datos durante 20 años
• Paquete TSOP, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C