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S29GL01GS11DHIV13
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, Paralelo, FBGA, 64 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11DHIV13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87AK1597RL
Cinta adhesiva87AK1597
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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1,477 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $20.790 | $20.79 |
| Total Precio | $20.79 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $20.790 |
| 50+ | $18.330 |
| 100+ | $17.950 |
| 250+ | $17.840 |
| 500+ | $17.730 |
| 1000+ | $16.930 |
| 2500+ | $16.580 |
| 5000+ | $16.250 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GS11DHIV13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87AK1597RL
Cinta adhesiva87AK1597
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria1
Configuración de Memoria128M x 8bit
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines64Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29GL01GS11DHIV13 es una memoria flash MIRRORBIT™ Eclipse fabricada con tecnología de proceso de 65nm. Este dispositivo ofrece un rápido tiempo de acceso a página de hasta 15ns, con un tiempo de acceso aleatorio de hasta 90ns. Incorpora un búfer de esc
- Opción de velocidad de acceso aleatorio de 110ns, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C.
- Encapsulado reforzado de matriz de rejilla de bolas (LAE064)
- VIO: 1.65V a VCC; VCC: 2.7V a 3.6V; sector de dirección más alto protegido.
- Bus de datos ×16, lectura de página asíncrona de 32bytes
- Borrado de sectores, sectores uniformes de 128KB
- Suspender y reanudar comandos para programar y borrar operaciones
- Comprobación y corrección automática de errores ECC interno por hardware con corrección de errores de un solo bit.
- Matriz de programación única (OTP) independiente de 1024bytes con dos regiones bloqueables
- Métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector
- 100000 ciclos de programación/borrado, 20 años de retención de datos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
1
Interfaces
Parallel
No. de Pines
64Pines
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto