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S29AL016J55TFNR10
MEMORIA FLASH, 16MBIT, -40 A 125ºC
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29AL016J55TFNR10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark62AK5973
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $3.670 |
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| 50+ | $3.520 |
| 100+ | $3.440 |
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| 500+ | $3.290 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29AL016J55TFNR10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark62AK5973
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria16
Configuración de Memoria2M x 8bit / 1M x 16bit
Configuración Memoria Flash0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesParallel
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines48Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso55
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.125
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29AL016J55TFNR10 es una memoria flash de sector de arranque. Este dispositivo está diseñado para programarse en el sistema con la alimentación VCC estándar de 3 volts. No se requiere una alimentación VPP de 12.0V ni una VCC de 5V para las operaciones
- Opción de velocidad de acceso de 55ns, paquete de encapsulado TSOP (Thin Small Outline Package) con distribución de pines estándar.
- Rango de temperatura de -40 a 125 °C (ampliado), VCC = 3 - 3.6V, dispositivo del sector de arranque superior (compatible con CFI)
- Fabricado con tecnología de proceso de 110nm.
- Región de sector de silicio segura, arquitectura de sector flexible
- La función de desprotección temporal del sector permite cambios de código en sectores previamente bloqueados
- Los sectores se pueden bloquear en el sistema o mediante equipos de programación.
- Reduce el tiempo general de programación al emitir múltiples secuencias de comandos de programa
- Arreglo de pines y software compatibles con memoria flash de alimentación única, protección superior contra escritura accidental
- Alto rendimiento, consumo de energía ultrabajo (valores típicos a 5MHz).
- Resistencia de ciclos 1,000,000 de ciclos por sector (típico), retención de datos: 20 años (típico).
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Densidad de Memoria
16
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
Parallel
Estuche / Paquete CI
TSOP
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
55
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
2M x 8bit / 1M x 16bit
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
48Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto