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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29AL016J55TFIR10
No. Parte Newark86AK7845
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29AL016J55TFIR10
No. Parte Newark86AK7845
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria16Mbit
Configuración de Memoria2M x 8bit
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines48Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso55ns
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
La S29AL016J55TFIR10 es una memoria flash de 16Mbit y 3.0 volts, organizada en 2,097,152 bytes o 1,048,576 palabras. Los datos de palabra completa (x16) aparecen en DQ15–DQ0; los datos de byte (x8) aparecen en DQ7–DQ0. Este dispositivo está diseñado para
- Velocidad de acceso de 50ns
- Rango de voltaje completo: Operaciones de lectura y escritura de 2.7 a 3.6V para aplicaciones alimentadas por batería.
- Fabricado con tecnología de proceso de 110nm.
- Puede programarse y bloquearse en la fábrica o por el cliente.
- Un método de hardware para bloquear un sector a fin de evitar cualquier programa o operación de borrado dentro de ese sector.
- Los sectores se pueden bloquear en el sistema o mediante equipos de programación.
- La función de desprotección temporal del sector permite cambios de código en sectores previamente bloqueados
- Reduce el tiempo general de programación al emitir múltiples secuencias de comandos de programa
- Arreglo de pines y software compatibles con memoria flash de alimentación única
- Encapsulado de contorno delgado y pequeño con configuración de pines estándar, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Configuración de Memoria
2M x 8bit
Estuche / Paquete CI
TSOP
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
16Mbit
Interfaces
Parallel
No. de Pines
48Pines
Tiempo de Acceso
55ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
