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S29AL008J70BFI023
Memoria Flash, NOR Paralela, 8 Mbit, 1M x 8bit / 512K x 16bit, CFI, VFBGA, 48 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29AL008J70BFI023Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87AK1596RL
Cinta adhesiva87AK1596
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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2,366 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.190 | $3.19 |
| Total Precio | $3.19 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.190 |
| 50+ | $2.830 |
| 100+ | $2.770 |
| 250+ | $2.680 |
| 500+ | $2.610 |
| 1000+ | $2.550 |
| 2500+ | $2.500 |
| 5000+ | $2.450 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29AL008J70BFI023Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87AK1596RL
Cinta adhesiva87AK1596
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria8
Configuración de Memoria1M x 8bit / 512K x 16bit
InterfacesCFI
Estuche / Paquete CIVFBGA
No. de Pines48Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso70
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S29AL008J70BFI023 es una memoria flash de 8Mbit y 3.0 volts, organizada en 1,048,576 bytes o 524,288 palabras. Los datos de palabra (x16) aparecen en DQ15–DQ0; los datos de byte (x8) aparecen en DQ7–DQ0. Este dispositivo está diseñado para programarse
- Velocidad de acceso de 70ns
- Rango de voltaje completo: Operaciones de lectura y escritura de 2.7 a 3.6V para aplicaciones alimentadas por batería.
- Fabricado con tecnología de proceso de 110nm, totalmente compatible con S29AL008D de 200nm
- Puede programarse y bloquearse en la fábrica o por el cliente.
- Un método de hardware para bloquear un sector a fin de evitar cualquier programa o operación de borrado dentro de ese sector.
- Los sectores se pueden bloquear en el sistema o mediante equipos de programación.
- La función de desprotección temporal del sector permite cambios de código en sectores previamente bloqueados
- Reduce el tiempo general de programación al emitir múltiples secuencias de comandos de programa
- Arreglo de pines y software compatibles con memoria flash de alimentación única
- Encapsulado Ball-Grid Array de paso fino, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Configuración de Memoria
1M x 8bit / 512K x 16bit
Estuche / Paquete CI
VFBGA
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
8
Interfaces
CFI
No. de Pines
48Pines
Tiempo de Acceso
70
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto