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S28HS512TGABHM010
Memoria Flash, NOR Serial, 512 Mbit, 64M x 8bit, SPI, BGA, 24 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS28HS512TGABHM010Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark86AK7844
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $17.300 |
| 5+ | $16.850 |
| 10+ | $16.400 |
| 25+ | $16.040 |
| 50+ | $15.760 |
| 100+ | $15.490 |
| 250+ | $15.130 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS28HS512TGABHM010Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark86AK7844
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashSerial NOR
Densidad de Memoria512
Configuración de Memoria64M x 8bit
InterfacesSPI
Estuche / Paquete CIBGA
No. de Pines24Pines
Frecuencia Max de Reloj200
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.1.7
Tensión de Alimentación Máx.2
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.125
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
S28HS512TGABHM010 es una memoria flash SEMPER™. Se trata de un dispositivo de memoria flash CMOS MIRRORBIT™ NOR de alta velocidad que cumple con la especificación JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI). SEMPER™ está diseñado para la seguridad funcional, con un
- Interfaz octal, flash SEMPER™ de 1.8V/3.0V
- Densidad de 512Mb, tecnología de proceso MIRRORBIT™ de 45nm
- Rendimiento de SDR de 200MHz y DDR de 200MHz
- Tecnología MIRRORBIT™ de 45-nm de Infineon® que almacena dos bits de datos en cada celda de la matriz de memoria.
- Uniforme: El espacio de direcciones consta de sectores de 256 KB
- Matriz de silicio segura OTP de 1024 bytes (32 × 32 bytes)
- Compatible con la interfaz periférica serial expandida (SPI) de JEDEC (JESD251)
- Admite señal de estroboscopio de datos (DS) para simplificar la captura de datos de lectura en sistemas de alta velocidad.
- Compatible con JEDEC eXpanded SPI (JESD251), la opción SDR funciona a una velocidad de hasta 21MB/s (velocidad de reloj de 166MHz).
- Encapsulado BGA de 24 bolas, rango de temperatura de -40 °C a +125 °C (Automoción, AEC-Q100 Grado 1).
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Serial NOR
Configuración de Memoria
64M x 8bit
Estuche / Paquete CI
BGA
Frecuencia Max de Reloj
200
Tensión de Alimentación Mín.
1.7
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
1.8V Serial NOR Flash Memories
Densidad de Memoria
512
Interfaces
SPI
No. de Pines
24Pines
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
2
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto