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S28HS512TGABHI010
Memoria Flash, NOR Serial, 512 Mbit, 64M x 8bit, SPI, BGA, 24 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS28HS512TGABHI010
No. Parte Newark51AH6486
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.610 |
| 10+ | $9.870 |
| 25+ | $9.570 |
| 50+ | $9.340 |
| 100+ | $9.120 |
| 250+ | $8.710 |
| 676+ | $8.670 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS28HS512TGABHI010
No. Parte Newark51AH6486
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Serial
Densidad de Memoria512
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria64M x 8bit
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesSPI
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIFBGA
No. de Pines24Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj200
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.1.7
Tensión de Alimentación Máx.2
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
S28HS512TGABHI010 es una memoria flash SEMPER™. Se trata de un dispositivo de memoria flash CMOS MIRRORBIT™ NOR de alta velocidad que cumple con la especificación JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI). SEMPER™ está diseñado para la seguridad funcional, con un
- Tecnología MIRRORBIT™ de 45nm que almacena dos bits de datos en cada celda de la matriz de memoria.
- Matriz de silicio segura OTP de 1024 bytes (32 x 32 bytes)
- Protección de bloques heredados (LBP) para la configuración de matrices de memoria y dispositivos.
- Protección avanzada de sectores (ASP) para la protección basada en sectores de matrices de memoria individuales.
- AutoBoot permite el acceso inmediato a la matriz de memoria después del encendido.
- Parámetros detectables de memoria flash serial (SFDP) que describen las funciones y características del dispositivo.
- Rendimiento con densidad de 512Mb, SDR de 200MHz y DDR de 200MHz.
- Voltaje de suministro de 1.7V a 2.0V
- Paquete BGA de 24 bolas
- Rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Serial
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
64M x 8bit
Interfaces
SPI
Estuche / Paquete CI
FBGA
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
2
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
512
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
24Pines
Frecuencia Max de Reloj
200
Tensión de Alimentación Mín.
1.7
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
1.8V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto