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S25FL512SAGBHV210
MEMORIA FLASH, 512MBIT, -40 A 105°C
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL512SAGBHV210Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark62AK5943
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.130 |
| 10+ | $8.490 |
| 25+ | $8.230 |
| 50+ | $8.040 |
| 100+ | $7.840 |
| 250+ | $7.590 |
| 500+ | $7.400 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL512SAGBHV210Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark62AK5943
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashSerial NOR
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria512
Configuración de Memoria64M x 8bit
Configuración Memoria Flash0
InterfacesSPI
Tipo de Interfaz IC0
Estuche / Paquete CIBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines24Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj133
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S25FL512SAGBHV210 es una memoria flash no volátil FL-S que utiliza la tecnología MIRRORBIT™, que almacena dos bits de datos en cada transistor de la matriz de memoria, arquitectura eclipse, que mejora drásticamente el rendimiento de programación y borr
- Densidad de 512Mb, tecnología de proceso mirrorbit de 65nm, velocidad de 133MHz
- Encapsulado BGA de 24 bolas, rango de temperatura de -40 a +105 °C (industrial plus).
- EHPLC, encapsulado BGA de 5 x 5 bolas, núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil, SPI con E/S múltiple
- Polaridad y fase del reloj SPI: modos 0 y 3; sectores uniformes de 256kB.
- Direccionamiento extendido de 32 bits, comandos de lectura.
- Normal, rápido, dual, cuádruple, DDR rápido, DDR dual, DDR cuádruple
- Programación de página de entrada cuádruple (APP) para sistemas de reloj lento
- Generación automática de código de corrección de errores de hardware interno ECC con corrección de errores de un solo bit
- 100000 ciclos de borrado de programa por sector, resistencia mínima de ciclo
- Retención de datos durante 20 años, mínimo, matriz OTP de 1024 bytes.
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Serial NOR
Densidad de Memoria
512
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
64M x 8bit
Interfaces
SPI
Estuche / Paquete CI
BGA
No. de Pines
24Pines
Frecuencia Max de Reloj
133
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto