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S25FL256SAGNFB000
FLASH MEMORY, 256MBIT, 105DEG C, WSON-8
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL256SAGNFB000
No. Parte Newark99AC9677
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
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| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $6.200 | $5.370 |
| 10+ | $5.780 | $5.370 |
| 25+ | $5.600 | $5.370 |
| 50+ | $5.250 | $5.250 |
| 100+ | $5.180 | $5.180 |
| 250+ | $5.080 | $5.080 |
| 676+ | $4.970 | $4.970 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL256SAGNFB000
No. Parte Newark99AC9677
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Serial
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria256
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria32M x 8bit
InterfacesCFI, SPI
Tipo de Interfaz IC0
Estuche / Paquete CIWSON-EP
Memoria, Tipo0
No. de Pines8Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj133
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S25FL256SAGNFB000 es una memoria flash FL-S SPI multi-E/S de 3.0V y 256Mb (32MB). Se trata de una memoria flash no volátil que utiliza la tecnología MIRRORBIT™, que almacena dos bits de datos en cada transistor de la matriz de memoria, con arquitectura
- Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátil
- Resistencia de ciclos, 100,000 ciclos de borrado de programa, mínimo
- Retención de datos de 20 años, mínimo
- Matriz OTP de 1024 bytes, protección de bloque
- Bits de registro de estado para controlar la protección contra el programa o el borrado de un rango contiguo de sectores
- Protección avanzada del sector (ASP), protección individual del sector controlada por código de arranque o contraseña
- Tecnología MIRRORBIT™ de 65nm con arquitectura Eclipse.
- Voltaje de alimentación del núcleo: 2.7 V a 3.6 V
- Paquete WSON de 8 contactos
- Rango de temperatura: grado 2 de la norma automotriz AEC-Q100 (-40 °C a +105 °C)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Serial
Densidad de Memoria
256
Configuración de Memoria
32M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Memoria, Tipo
0
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Interfaces
CFI, SPI
Estuche / Paquete CI
WSON-EP
No. de Pines
8Pines
Frecuencia Max de Reloj
133
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto