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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL128LAGMFB010Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark62AK5892
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
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157 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.290 |
| 10+ | $3.080 |
| 25+ | $3.040 |
| 50+ | $3.030 |
| 100+ | $3.020 |
| 250+ | $2.900 |
| 500+ | $2.840 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS25FL128LAGMFB010Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark62AK5892
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashSerial NOR
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria128
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria16M x 8bit
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesSPI
Estuche / Paquete CISOIC
Memoria, Tipo0
No. de Pines8Pines
Frecuencia Max de Reloj133
Frecuencia de Reloj0
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El S25FL128LAGMFB010 es un circuito integrado de memoria flash SPI no volátil de la serie S25FL128L que utiliza tecnología de puerta flotante y litografía de proceso de 65nm. La familia FL-L se conecta a un sistema host mediante una interfaz periférica se
- Polaridad del reloj y modos de fase 0 y 3, modos de lectura: ráfaga continua, continuo (XIP), QPI
- Parámetros detectables de flash en serie (SFDP) para información de configuración
- Borrado de arquitectura uniforme de sector de 4KB, borrado uniforme de medio bloque de 32KB, borrado uniforme de bloque de 64KB
- 100000 ciclos de programación/borrado mínimo , retención de datos de 20 años como mínimo
- Cuatro regiones de seguridad de 256 bytes cada una fuera de la matriz flash principal
- Protección del registro de estado y configuración, protección individual y regional
- Cerradura de bloque individual: sector/bloque individual volátil, región de puntero
- El voltaje de suministro único con E/S CMOS de 2.7V a 3.6V.
- Densidad de 128Mb, velocidad de 133MHz, encapsulado SOIC
- Automotriz, grado AEC-Q1002 (temperatura de -40 a 105 °C), encapsulado SOIC8 (208 mil) / WSON de 8 contactos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Serial NOR
Densidad de Memoria
128
Configuración de Memoria
16M x 8bit
Interfaces
SPI
Memoria, Tipo
0
Frecuencia Max de Reloj
133
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
SOIC
No. de Pines
8Pines
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Serial NOR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
