S25FL127SABMFI101

S25FL127SABMFI101 es una memoria flash SPI de 3.0V. Cuenta con tecnología MirrorBit que almacena dos bits de datos en cada transistor de matriz de memoria. La arquitectura de Eclipse mejora drásticamente el programa y borra el rendimiento. Tiene litografía de proceso de 65nm. Este dispositivo se conecta a un sistema host a través de un SPI. Se admite la entrada y salida serial SPI tradicional de un solo bit (E/S simple o SIO), así como comandos seriales opcionales de dos bits (E/S dual o DIO) y cuatro bits (E/S cuádruple o QIO). Esta interfaz de ancho múltiple se llama SPI multi-E/S o MIO. La arquitectura eclipse presenta un búfer de programación de páginas que permite programar hasta 128 palabras (256 bytes) o 256 palabras (512 bytes) en una operación, lo que resulta en una programación y borrado efectivo más rápido que el programa SPI de la generación anterior o algoritmos de borrado.

• Densidad de 128Mb, tecnología de proceso MirrorBit de 0.065µm
• Velocidad de 108 MHz, voltaje de suministro de 2.7V a 3.6V
• Velocidad de lectura normal (SDR) de 6 Mbps (50MHz), velocidad de lectura rápida (SDR) de 13.5Mbps (108MHz)
• Velocidad de lectura dual (SDR) de 27Mbps (108 MHz), velocidad de lectura cuádruple (SDR) de 54Mbps (108 MHz)
• 100,000 ciclos mínimos de borrado de programas por sector
• Retención mínima de datos de 20 años
• Protección avanzada del sector, modo de arranque automático, borrar, suspender/reanudar
• Suspender/reanudar programa, ±2 µA de corriente de fuga de entrada máxima en (VCC = VCC máx.)
• Corriente de reinicio de encendido de 63mA en (RESET#, CS# = VCC; SI, SCK = VCC o VSS)
• Rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C, paquete SOIC de 8 pines