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ISC010N04NM6ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.050 |
| 10+ | $1.960 |
| 25+ | $1.760 |
| 50+ | $1.550 |
| 100+ | $1.350 |
| 250+ | $1.210 |
| 500+ | $1.080 |
| 1000+ | $0.998 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteISC010N04NM6ATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark36AJ3716
Rango de ProductoOptiMOS 6
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id285
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente820
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTDSON-FL
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3
Disipación de Potencia150
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS 6
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
820
Diseño de Transistor
TDSON-FL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
150
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 6
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
285
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto