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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.896 |
| 10+ | $0.641 |
| 25+ | $0.577 |
| 50+ | $0.542 |
| 100+ | $0.507 |
| 250+ | $0.473 |
| 500+ | $0.453 |
| 1000+ | $0.437 |
Información del producto
Resumen del producto
El IRS2007STRPBF es un controlador de MOSFET e IGBT de alta tensión y alta velocidad con canales de salida referenciados a los lados alto y bajo. Las tecnologías HVIC y CMOS inmunes a enganches, de propiedad exclusiva, permiten una construcción monolítica robusta. La entrada lógica es compatible con la salida CMOS o LSTTL estándar, hasta una lógica de 3.3V. El controlador de salida presenta una etapa de buffer de corriente de alto pulso diseñada para una conducción cruzada mínima del conductor. El canal flotante se puede utilizar para controlar un MOSFET de potencia de canal N o IGBT en la configuración de lado alto que opera hasta 200V. El retardo de propagación se ajusta para simplificar el uso del HVIC en aplicaciones de alta frecuencia. Entre las aplicaciones típicas se incluyen accionamientos de motores de electrodomésticos, motores paso a paso, servomotores, microinversores, inversores trifásicos de uso general, vehículos eléctricos ligeros (bicicletas eléctricas, patinetes eléctricos, juguetes eléctricos), carga inalámbrica y aplicaciones generales alimentadas por batería.
- Alimentación de puerta de hasta 20V por canal, bloqueo por subtensión para VCC y VBS.
- Compatible con lógica de entrada de 3.3V, 5V y 15V, tolerante a sobretensiones transitorias.
- Diseñado para su uso con fuentes de alimentación bootstrap, lógica de prevención de conducción cruzada.
- Retardo de propagación sincronizado para ambos canales, tiempo muerto de ajuste interno, protección ESD HBM de 2kV.
- Salida de lado alto en fase con la entrada HIN, salida de lado bajo desfasada con la entrada LIN activa baja.
- El rango de voltaje de salida oscila entre 10 y 20V.
- Corriente de salida de cortocircuito alta pulsada: 200mA mín. (VO = 0V, VIN = VIH, PW ≤ 10µs).
- Corriente de salida de cortocircuito baja pulsada: 420mA mín. (VO = 15V, VIN = VIH, PW ≤ 10µs).
- Retardo de propagación de encendido: 160ns (típico), retardo de propagación de apagado: 150ns (típico) (TA = 25 °C).
- Encapsulado SOIC de 8 pines, rango de temperatura ambiente de -40 a 125 °C.
Especificaciones técnicas
-
High Side and Low Side
8Pines
SOIC
-
-
20
125
150
-
-
MOSFET
0
Surface Mount
-
10
-40
160
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
