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IRLU024NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLU024NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark63J7671
También conocido comoSP001553260
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.830 |
| 10+ | $1.160 |
| 100+ | $0.816 |
| 500+ | $0.731 |
| 1000+ | $0.610 |
| 2500+ | $0.598 |
| 10000+ | $0.586 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLU024NPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark63J7671
También conocido comoSP001553260
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065
Resistencia de Activación Rds(on)0.065ohm
Diseño de TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd38W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia38
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLU024NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 55V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando tecnología planar avanzada.
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Unidad de puerta de nivel lógico
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065
Diseño de Transistor
TO-251AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia de Activación Rds(on)
0.065ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
38W
Disipación de Potencia
38
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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