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IRLS3036TRLPBF
MOSFET de Potencia, HEXFET®, Canal N, 60 V, 270 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.34 |
| 10+ | $4.40 |
| 25+ | $4.03 |
| 50+ | $3.66 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $2.11 |
| 1600+ | $2.10 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLS3036TRLPBF
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5430
Cinta adhesiva39T2139
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001568674
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id270A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0024
Resistencia de Activación Rds(on)0.0019ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd380W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia380W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLS3036TRLPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que ofrece resistencia mejorada de puerta, avalancha y dV/dt dinámico. Está optimizado para unidades de nivel lógico. Es adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, circuitos duros y circuitos de alta frecuencia.
- Muy bajo RDS (ON) a 4.5V VGS
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Nivel lógico
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0024
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
270A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0019ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
380W
Disipación de Potencia
380W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLS3036TRLPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto