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IRLR9343TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
4,538 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.700 | $1.70 |
| Total Precio | $1.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.700 |
| 10+ | $1.130 |
| 25+ | $1.020 |
| 50+ | $0.905 |
| 100+ | $0.795 |
| 250+ | $0.724 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR9343TRPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9248
Cinta adhesiva13AC9248
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105
Resistencia de Activación Rds(on)0.093ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia79
Disipación de Potencia Pd79W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- El audio digital HEXFET® está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D
- Tecnología de proceso avanzada
- RDSON bajo para mejorar la eficiencia
- Qg y Qsw bajos para una mejor THD y una mayor eficiencia
- Qrr bajo para una mejor THD y una EMI más baja
- Temperatura operativa de la unión de 175°C para mayor robustez
- Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
79
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.093ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
79W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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