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IRLR3114ZTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 42 A, 0.0049 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR3114ZTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5421
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9238RL
Cinta adhesiva13AC9238
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
5,927 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.730 | $1.73 |
| Total Precio | $1.73 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.730 |
| 50+ | $0.926 |
| 100+ | $0.848 |
| 250+ | $0.779 |
| 500+ | $0.710 |
| 1000+ | $0.696 |
| 2500+ | $0.682 |
| 5000+ | $0.667 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.632 |
| 12000+ | $0.619 |
| 18000+ | $0.607 |
| 30000+ | $0.594 |
| 60000+ | $0.581 |
| 150000+ | $0.569 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR3114ZTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5421
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9238RL
Cinta adhesiva13AC9238
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id42A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0049
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0049
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
42A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLR3114ZTRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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