IRLR2908TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRLR2908TRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo86AK5418 Re-reeling (Rollos a medida)42Y0440RL Cinta adhesiva42Y0440 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
6,097 Puede reservar stock ahora
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.160 | $2.16 |
| Total Precio | $2.16 | ||
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.160 |
| 50+ | $1.120 |
| 100+ | $1.020 |
| 250+ | $0.933 |
| 500+ | $0.845 |
| 1000+ | $0.828 |
| 2500+ | $0.811 |
| 5000+ | $0.794 |
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.740 |
| 4000+ | $0.710 |
| 6000+ | $0.679 |
| 10000+ | $0.665 |
| 20000+ | $0.652 |
| 50000+ | $0.638 |
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRLR2908TRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo86AK5418 Re-reeling (Rollos a medida)42Y0440RL Cinta adhesiva42Y0440 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 80V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 30A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.028ohm |
| Diseño de Transistor | TO-252AA |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 2.5V |
| Disipación de Potencia | 120W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
The IRLR2908TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET is a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Logic level
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 80V |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-252AA |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 2.5V |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 30A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.028ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia | 120W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |