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IRLR024NTRPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark26AC0687
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.333 |
| 4000+ | $0.322 |
| 8000+ | $0.312 |
| 12000+ | $0.300 |
| 20000+ | $0.293 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2000
Múltiple: 2000
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark26AC0687
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia de Activación Rds(on)0.065ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd45W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-252AA
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia45
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia de Activación Rds(on)
0.065ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065
Disipación de Potencia Pd
45W
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia
45
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRLR024NTRPBF.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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