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IRLML9303TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML9303TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79R5634RL
Cinta adhesiva79R5634
También conocido comoSP001558866
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.417 | $0.42 |
| Total Precio | $0.42 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.417 |
| 50+ | $0.260 |
| 100+ | $0.166 |
| 250+ | $0.146 |
| 500+ | $0.125 |
| 1000+ | $0.111 |
| 2500+ | $0.109 |
| 5000+ | $0.107 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML9303TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79R5634RL
Cinta adhesiva79R5634
También conocido comoSP001558866
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.165ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.135ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.3V
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRLML9303TRPBF
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Resumen del producto
El IRLML9303TRPBF es un MOSFET de potencia de canal P único HEXFET® que ofrece un pin-out estándar de la industria para la compatibilidad de múltiples proveedores. Es adecuado para interruptor de carga/sistema, interruptores de CD y protección de batería. Es compatible con las técnicas existentes de montaje en superficie.
- Libre de halógenos
- Calificación del consumidor MSL-1 (mayor confiabilidad)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.165ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.135ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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