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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML6401TRPBF
No. Parte Newark63J7615
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001577044
Su número de pieza
21,218 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.475 |
| 10+ | $0.290 |
| 25+ | $0.268 |
| 50+ | $0.245 |
| 100+ | $0.223 |
| 250+ | $0.200 |
| 500+ | $0.177 |
| 1000+ | $0.159 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML6401TRPBF
No. Parte Newark63J7615
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001577044
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id4.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0.05ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente550mV
Disipación de Potencia1.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLML6401TRPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de -12 V, compatible con las técnicas de montaje en superficie existentes. Este MOSFET presenta una mayor confiabilidad y una fabricación más fácil.
- Libre de halógenos
- MSL1, calificación industrial
- Compatibilidad con múltiples proveedores
- Amigable con el medio ambiente
- Tecnología Trench MOSFET
- Voltaje de compuerta a fuente de ±8V
- Factor de reducción lineal de 0.01W/°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.05ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
550mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRLML6401TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
