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IRLML6401TRPBF
MOSFET de Potencia, HEXFET, Canal P, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohms, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML6401TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK1453
Re-reeling (Rollos a medida)63J7615RL
Cinta adhesiva63J7615
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001577044
Su número de pieza
17,866 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.560 | $0.56 |
| Total Precio | $0.56 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.560 |
| 10+ | $0.342 |
| 25+ | $0.316 |
| 50+ | $0.289 |
| 100+ | $0.263 |
| 250+ | $0.236 |
| 500+ | $0.208 |
| 1000+ | $0.187 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.094 |
| 12000+ | $0.089 |
| 24000+ | $0.080 |
| 36000+ | $0.077 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML6401TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK1453
Re-reeling (Rollos a medida)63J7615RL
Cinta adhesiva63J7615
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001577044
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id4.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0.05ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente550mV
Disipación de Potencia1.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLML6401TRPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de -12 V, compatible con las técnicas de montaje en superficie existentes. Este MOSFET presenta una mayor confiabilidad y una fabricación más fácil.
- Libre de halógenos
- MSL1, calificación industrial
- Compatibilidad con múltiples proveedores
- Amigable con el medio ambiente
- Tecnología Trench MOSFET
- Voltaje de compuerta a fuente de ±8V
- Factor de reducción lineal de 0.01W/°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.05ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
550mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Disipación de Potencia
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto