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IRLML6344TRPBF
MOSFET de Potencia, HEXFET, Canal N, 30 V, 5 A, 0.022 ohms, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML6344TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante45 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo63AK1735
Re-reeling (Rollos a medida)25T5500
Cinta adhesiva25T5500
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001574050
Su número de pieza
13,232 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.687 | $0.69 |
| Total Precio | $0.69 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.687 |
| 10+ | $0.438 |
| 25+ | $0.390 |
| 50+ | $0.340 |
| 100+ | $0.291 |
| 250+ | $0.260 |
| 500+ | $0.227 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.134 |
| 12000+ | $0.127 |
| 24000+ | $0.115 |
| 36000+ | $0.109 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML6344TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante45 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo63AK1735
Re-reeling (Rollos a medida)25T5500
Cinta adhesiva25T5500
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001574050
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.029ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Disipación de Potencia1.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLML6344TRPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N para el interruptor de carga/sistema.
- Estándar en la industria
- MSL1, calificación industrial
- Compatibilidad con múltiples proveedores
- Amigable con el medio ambiente
- Montaje Superficial
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.029ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Disipación de Potencia
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto