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IRLML5103TRPBF.
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 760 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML5103TRPBF.
No. Parte Newark26AC0680
También conocido comoSP001572946
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| Cantidad | Precio |
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| 6000+ | $0.055 |
| 12000+ | $0.055 |
| 24000+ | $0.055 |
| 48000+ | $0.055 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML5103TRPBF.
No. Parte Newark26AC0680
También conocido comoSP001572946
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id760
Resistencia de Activación Rds(on)0.6ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd540mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia540
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLML5103TRPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona una operación extremadamente eficiente y confiable.
- Tecnología de generación V
- Perfil bajo (<lt/> 1.1mm)
- Conmutación rápida
- Baja resistencia de encendido estática drenaje a fuente
- Clasificación dv/dt dinámica
- Calificación de avalancha completa
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.6ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
540mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
760
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
540
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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