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IRLML2502PBF
MOSFET de Potencia, HEXFET, Canal N, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohms, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML2502PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97K2351RL
Cinta adhesiva97K2351
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.462 | $0.46 |
| Total Precio | $0.46 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.462 |
| 50+ | $0.355 |
| 100+ | $0.295 |
| 250+ | $0.247 |
| 500+ | $0.208 |
| 1000+ | $0.177 |
| 2500+ | $0.145 |
| 5000+ | $0.122 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML2502PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97K2351RL
Cinta adhesiva97K2351
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id4.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLML2502PBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal N de 20 V en paquete Micro3 (SOT-23). Este MOSFET presenta una resistencia extremadamente baja por área de silicio, robustez, conmutación rápida como resultado, los MOSFET de potencia son bi
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 20V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 12V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 35mohm con Vgs de 4.5V
- Disipación de potencia Pd de 1.25W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de 4.2A en vgs 4.5V y 25 ° C
- Rango de temperatura de unión operativa de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLML2502PBF
1 producto (s) encontrado (s)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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