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IRLL024NTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLL024NTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5406
Re-reeling (Rollos a medida)40M7983RL
Cinta adhesiva40M7983
También conocido comoSP001568956
Su número de pieza
22,267 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.110 | $1.11 |
| Total Precio | $1.11 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.110 |
| 50+ | $0.743 |
| 100+ | $0.523 |
| 250+ | $0.473 |
| 500+ | $0.422 |
| 1000+ | $0.389 |
| 2500+ | $0.307 |
| 5000+ | $0.301 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.266 |
| 5000+ | $0.254 |
| 10000+ | $0.243 |
| 15000+ | $0.231 |
| 25000+ | $0.216 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLL024NTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5406
Re-reeling (Rollos a medida)40M7983RL
Cinta adhesiva40M7983
También conocido comoSP001568956
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id3.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.065ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRLL024NTRPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal N de HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo, proporciona una operación extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o onda.
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Calificación de avalancha completa
- Baja resistencia de encendido estática drenaje a fuente
- Clasificación dv/dt dinámica
- Nivel lógico
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.065ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1W
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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