Imprimir página
IRLHS6376TRPBF
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.063 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLHS6376TRPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4786
Cinta adhesiva91Y4786
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
20,151 En Inventario
¿Necesita más?
82 Entrega en EE. UU. en 1-3 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
20069 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.814 | $0.81 |
| Total Precio | $0.81 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.814 |
| 10+ | $0.474 |
| 25+ | $0.428 |
| 50+ | $0.382 |
| 100+ | $0.337 |
| 250+ | $0.300 |
| 500+ | $0.263 |
| 1000+ | $0.238 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLHS6376TRPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4786
Cinta adhesiva91Y4786
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.063
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.048
Diseño de TransistorDFN2020
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5
Disipación de Potencia de Canal P1.5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.048
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.5
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.063
Diseño de Transistor
DFN2020
Disipación de Potencia de Canal N
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto