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IRLH5030TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 100 A, 0.009 ohm, QFN, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLH5030TRPBF
No. Parte Newark83R9947
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.030 |
| 10+ | $2.630 |
| 25+ | $2.390 |
| 50+ | $2.140 |
| 100+ | $1.900 |
| 250+ | $1.750 |
| 500+ | $1.590 |
| 1000+ | $1.570 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLH5030TRPBF
No. Parte Newark83R9947
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia3.6
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IRLH5030TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers industry standard pin-out for multi-vendor compatibility. It is suitable for secondary side synchronous rectification, boost converters and DC-to-DC brick applications. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Low RDS (ON) (≤9mΩ) results in low conduction losses
- Low thermal resistance to PCB (≤0.8°C/W) enables better thermal dissipation
- 100% Rg tested for increased reliability
- Halogen-free
- Industrial qualification MSL-1 (increased reliability)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
3.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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