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IRL7486MTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 209 A, 0.00125 ohm, DirectFET ME, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL7486MTRPBF
No. Parte Newark53Y4841
Rango de ProductoStrongIRFET Series
También conocido comoSP001567046
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.950 |
| 10+ | $1.860 |
| 25+ | $1.790 |
| 50+ | $1.720 |
| 100+ | $1.650 |
| 250+ | $1.550 |
| 500+ | $1.450 |
| 1000+ | $1.410 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL7486MTRPBF
No. Parte Newark53Y4841
Rango de ProductoStrongIRFET Series
También conocido comoSP001567046
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id209
Resistencia de Activación Rds(on)0.001ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00125
Diseño de TransistorDirectFET ME
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd104W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia104
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoStrongIRFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2 - 1 year
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IRL7486MTRPBF is a N channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 1.0mohm (typ, VGS = 10V, ID = 123A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V (silicon limited) is 209A (max, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.97ohm (typ, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 427S (TJ = 25°C, VDS = 10V, ID = 123A, typ)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.001ohm
Diseño de Transistor
DirectFET ME
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
StrongIRFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2 - 1 year
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
209
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00125
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
104W
Disipación de Potencia
104
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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