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IRL7486MTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 209 A, 0.00125 ohm, DirectFET ME, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL7486MTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)53Y4841RL
Cinta adhesiva53Y4841
Rango de ProductoStrongIRFET Series
También conocido comoSP001567046
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.440 | $2.44 |
| Total Precio | $2.44 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.440 |
| 50+ | $1.600 |
| 100+ | $1.100 |
| 250+ | $0.990 |
| 500+ | $0.879 |
| 1000+ | $0.805 |
| 2500+ | $0.756 |
| 5000+ | $0.741 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL7486MTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)53Y4841RL
Cinta adhesiva53Y4841
Rango de ProductoStrongIRFET Series
También conocido comoSP001567046
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id209
Resistencia de Activación Rds(on)0.001ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00125
Diseño de TransistorDirectFET ME
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd104W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia104
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoStrongIRFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2 - 1 year
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IRL7486MTRPBF is a N channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 1.0mohm (typ, VGS = 10V, ID = 123A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V (silicon limited) is 209A (max, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.97ohm (typ, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 427S (TJ = 25°C, VDS = 10V, ID = 123A, typ)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.001ohm
Diseño de Transistor
DirectFET ME
Disipación de Potencia Pd
104W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
StrongIRFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2 - 1 year
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
209
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00125
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
104
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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