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IRL540NPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 36 A, 44 mohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 50+ | $1.320 |
| 100+ | $1.200 |
| 150+ | $1.130 |
| 250+ | $1.060 |
| 500+ | $0.990 |
| 1250+ | $0.924 |
| 2500+ | $0.868 |
| 5000+ | $0.849 |
Precio para:Cada
Mínimo: 50
Múltiple: 50
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL540NPBF.Copiar
No. Parte Newark26AC0705
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id36
Resistencia de Activación Rds(on)0.044ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente44
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRL540NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con extremadamente baja resistencia a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Unidad de puerta de nivel lógico
- Tecnología de proceso avanzada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.044ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
44
Disipación de Potencia Pd
140W
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRL540NPBF.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto