Imprimir página
IRFZ48NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFZ48NPBF
No. Parte Newark63J7152
También conocido comoSP001552474
Su número de pieza
709 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 8 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.020 |
| 10+ | $1.040 |
| 100+ | $0.947 |
| 500+ | $0.777 |
| 1000+ | $0.722 |
| 4000+ | $0.687 |
| 10000+ | $0.646 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.02
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFZ48NPBF
No. Parte Newark63J7152
También conocido comoSP001552474
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id64
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd94W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia94
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRFZ48NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 55V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando tecnología planar avanzada.
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
64
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
94W
Disipación de Potencia
94
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto