Imprimir página
IRFZ46NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRFZ46NPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 63J7145 |
| También conocido como | SP001571842 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
126 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.420 |
| 10+ | $0.892 |
| 100+ | $0.590 |
| 500+ | $0.460 |
| 1000+ | $0.451 |
| 2500+ | $0.442 |
| 10000+ | $0.432 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.42
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRFZ46NPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 63J7145 |
| También conocido como | SP001571842 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 55 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 53 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.0165 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0165ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 107W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 107 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El IRFZ46NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 55V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando tecnología planar avanzada.
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 55 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.0165 |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Disipación de Potencia Pd | 107W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 53 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.0165ohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 107 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |