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IRFZ44NSTRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFZ44NSTRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5344
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9167RL
Cinta adhesiva13AC9167
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
3,577 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.320 | $2.32 |
| Total Precio | $2.32 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.320 |
| 50+ | $1.500 |
| 100+ | $1.130 |
| 250+ | $1.100 |
| 500+ | $1.070 |
| 1000+ | $0.784 |
| 2500+ | $0.768 |
| 5000+ | $0.753 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $0.718 |
| 1600+ | $0.689 |
| 3200+ | $0.659 |
| 4800+ | $0.625 |
| 8000+ | $0.587 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFZ44NSTRLPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5344
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9167RL
Cinta adhesiva13AC9167
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id49A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0175ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia94W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
49A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0175ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
94W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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