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IRFU5410PBF
MOSFET, CANAL P, -100V, -13A, 150°C, 66W
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $1.190 |
| 100+ | $1.020 |
| 500+ | $1.010 |
| 1000+ | $1.000 |
| 2500+ | $0.786 |
| 10000+ | $0.572 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFU5410PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark39AH8940
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id13A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.205ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.205ohm
Diseño de TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia66W
Disipación de Potencia Pd66W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.205ohm
Diseño de Transistor
TO-251AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
66W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
13A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.205ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
66W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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