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IRFS7730TRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 195 A, 0.0026 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.740 |
| 10+ | $5.230 |
| 25+ | $5.020 |
| 50+ | $4.830 |
| 100+ | $4.620 |
| 250+ | $3.730 |
| 500+ | $2.850 |
| 1600+ | $1.960 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS7730TRLPBF
No. Parte Newark34AC1760
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id195
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0026
Resistencia de Activación Rds(on)0.0022ohm
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia Pd375W
Disipación de Potencia375
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFS7730TRLPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
HEXFET® Power MOSFET adecuado para su uso en aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas, aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, fuentes de alimentación de modo resonante, interruptores de potencia redundantes y de operación OR, Convertidores CD/CD y CA/CD, inversores CD/CA.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0026
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
375W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
195
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0022ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto