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IRFS7430TRL7PP
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS7430TRL7PP
No. Parte Newark45X9514
También conocido comoSP001565252
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.570 |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $2.320 |
| 1600+ | $2.260 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS7430TRL7PP
No. Parte Newark45X9514
También conocido comoSP001565252
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id240A
Resistencia de Activación Rds(on)550µohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente750µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia375W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFS7430TRL7PP
4 productos encontrados
Resumen del producto
El IRFS7430TRL7PP es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que ofrece resistencia mejorada de puerta, avalancha y dV/dt dinámico. Es adecuado para circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, convertidores CD a CD y CA a CD.
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y di/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
550µohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
240A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
750µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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